为重夺DRAM市场领导地位，三星计划到2026年底将其10nm第六代DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到20万片晶圆，占公司整体DRAM总产量的三分之一。

今年前三季度，三星连续将DRAM市场龙头地位让于SK海力士，主因归咎于核心DRAM业务。公司认定DRAM品质直接影响HBM竞争力，随即启动大规模设计革新。

1c DRAM是其革新成果，近期已获内部认可，良率达约70%，稳定量产（良率80~90%）在即。采用1c DRAM制造的HBM4良率也突破50%。

三星已敲定向英伟达供应HBM4的协议，计划从2023年第四季度起交付首批产品。随着HBM4需求激增，公司正全力投入1c DRAM产能建设。

服务器、PC及移动设备用DRAM需求推动投资布局。AI数据中心投资扩张带动服务器DRAM需求暴增，价格急剧攀升。

端侧AI兴起带动PC与移动市场复苏。终端设备运行AI计算需大容量内存，导致DRAM需求大幅增加，预计将引发供应短缺。

对高性能内存的强劲需求是三星扩大1c DRAM生产占比的根本动因。1c DRAM作为其差异化武器，加速了该进程。

当竞争对手仍使用1b DRAM时，三星已决定采用1c DRAM制造HBM，旨在通过领先一代产品实现逆转，试图以1c DRAM颠覆市场格局。

行业人士指出，三星可能凭借远超竞争对手的生产能力在1c DRAM领域重现市场主导地位。

1c生产将通过扩建与工艺转换推进，扩建以平泽第四工厂(P4)为核心，目前处于设备进场与安装阶段。

工艺转换指将10纳米级1x・1y・1z DRAM生产线改造为1c制造专用产线，最大限度利用现有设备，仅引进必需装置，快速构建生产线，提升响应速度。

该方案具显著成本节约效益，也被视为缩减面临中国激烈追赶的旧代DRAM产能、集中发展新一代DRAM以实现“超差距”战略的体现。技术迁移正以多条生产线同步推进。

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