SK海力士计划于2026年全力扩充HBM以外的通用DRAM内存产能，充分利用现有晶圆厂资源。

除HBM内存扩产外，公司将在清州M8、利川M10、利川M14和利川M16等既有厂区推进通用DRAM生产。

其中，清州M8与利川M10为较老旧厂区，将被最大限度利用空间以提升产能；利川M14将进行制程升级改造，利川M16的剩余部分也将被启用。

新增HBM产能主要集中在本季度竣工的清州M15X晶圆厂，而通用DRAM产能扩张则依赖上述现有设施。

预计到2026年，SK海力士的通用DRAM月产能将达到7万片晶圆水平。

另有消息指出，通过进一步优化与扩产措施，公司有望提前实现原定于2027年的月投片量10万片目标。

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