英特尔代工官方当地时间昨日宣布，其已同ASML完成首台“二代”High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的“验收测试”。

相较于主要用于工艺前期研发的“一代”机型EXE:5000，EXE:5200B更侧重于量产应用，配备了更高功率与剂量的EUV光源，晶圆吞吐量提升至每小时175片，套刻精度提升至0.7nm，并通过新的晶圆存储结构增强了整体工艺稳定性。

英特尔代工还在同一篇博客中提到，在2025 IEEE IEDM上，其与imec合作展示了对2DFET材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀，以及在12英寸试生产线中制造的具有大马士革型顶接触的晶体管。

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