据TrendForce报道，SK海力士于去年12月公布5-Bit NAND技术，采用Multi-Site Cell（MSC）NAND方案，可将每个3D NAND单元一分为二，在提升数据容量的同时使所需电压减少三分之二。

该技术结合4D 2.0方案，突破传统存储单元在超过4 bit后面临的“电压状态壁垒”，实现每单元5Bit存储，且不牺牲速度与耐久性。

当前QLC 3D NAND已量产，但存在读取可靠性低、寿命短等问题。SK海力士通过将单个NAND存储单元拆分为两个独立Site，降低各Site工作电压，从而提高存储密度。

此项技术可使单颗NAND Die及SSD的存储容量提升25%，同时读取速度较传统PLC闪存快20倍。

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