尽管HBM自推出到成为半导体产业核心历经近十年，其迭代技术HBF有望更快实现商业化和普及。

据韩国经济日报等报道，SK海力士正与闪迪合作推进HBF标准制定，计划最早于2024年推出HBF1样品，该产品预计将采用16层NAND闪存堆叠技术。

“HBM之父”、韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩透露，三星电子和闪迪预计最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。他表示，因在HBM研发过程中积累的工艺与设计经验可复用于HBF，研发进程将显著加快。

HBF即高带宽闪存，结构类似HBM，通过堆叠NAND闪存芯片实现，被类比为“图书馆”相对于HBM“书房”：容量更大但延迟更高。

金正浩预测，待HBM发展至HBM6阶段，HBF将迎来广泛应用，单个基础裸片将集成多组存储堆栈。未来2至3年内HBF方案将陆续出现，到2038年左右，HBF市场规模有望超过HBM。

随着AI对存储需求激增，存储厂商正积极扩产。美光科技拟以18亿美元收购力积电位于中国台湾的晶圆厂，计划在2024年第二季度完成后分阶段提升DRAM产量，预计2027年下半年带来显著晶圆产出。

三星电子也调整产能规划，将其泰勒晶圆厂的月产能从原定2万片提升至5万片，初始制造预计最早于2024年第二季度启动。

广发证券指出，当前大模型参数已达万亿级别，上下文长度普遍超过128K，现有HBM容量已难以满足需求。在研HBF的存储容量预计可达HBM的8至16倍，有望使GPU存储容量扩展至4TB，成为满足AI大模型内存需求的主要解决方案。

在数据基础软件领域，具备数据库技术积累的大型科技公司及独立第三方企业均具备开发适配HBF软件的潜力。随着HBF技术成熟，相关软件有望在AI推理任务中大规模应用，推动产业链整体发展。

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