根据《ChosunBiz》援引Omdia数据报道，占据全球NAND闪存产能逾60%的三星电子与SK海力士2026年将削减晶圆投片量。三星计划投入468万片晶圆，低于2025年的490万片；SK海力士则从190万片降至170万片，合计产能同比下降约6.2%。

在AI基础设施建设推动下，NAND闪存需求持续增长。花旗数据显示，英伟达Vera Rubin超级芯片机架系统所需固态硬盘容量达1152TB，为上代Grace Blackwell系统的10倍以上。

受此前存储周期严重亏损影响，三星电子和SK海力士目前采取“利润最大化”策略，未大幅扩增NAND闪存产能，此举可能进一步加剧市场供应紧张局面。

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