美光科技宣布，位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约240亿美元，预计2028年下半年投产，将创造约1600个就业岗位。

该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后提供约70万平方英尺的无尘室空间。

此次投资聚焦NAND闪存领域，旨在满足人工智能驱动的对NAND闪存不断增长的市场需求。NAND闪存是一种断电后数据仍可保存的非易失性存储芯片，广泛用于固态硬盘、U盘和手机存储。

美光在新加坡已拥有规模庞大的制造设施，其98%的闪存芯片均在当地生产。该公司还在新加坡投资建设一座价值70亿美元的先进封装工厂，用于生产人工智能芯片所需的高带宽内存（HBM），该工厂预计于2027年开始投产。

美光表示，此前宣布的HBM先进封装厂预计将于2027年为其HBM供应做出重要贡献。随着HBM成为其新加坡生产布局的一部分，公司预计NAND和DRAM生产之间将出现协同效应，并将根据市场需求灵活调整新工厂产能爬坡速度。

当前，消费电子、人工智能服务提供商等多个行业面临各类存储芯片严重短缺，该局面由全球争相布局人工智能基础设施引发。

美光近期已签署意向书，拟以18亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司收购其位于中国台湾地区的一处晶圆厂设施，以扩充存储芯片产能。

其主要竞争对手韩国三星电子和SK海力士亦宣布扩产计划，并将部分设施投产时间提前。SK海力士计划将一座新工厂投产时间提前三个月，并将于2月开始运营另一座新工厂。

分析师指出，存储芯片供应短缺情况可能持续至2027年年底。

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