周二存储概念股领涨半导体板块，东芯股份涨停，普冉股份涨超14%，帝科股份、精智达涨超10%，康强电子、华天科技涨停。

据韩国《电子时报》报道，三星电子将于2026年第一季度将NAND闪存供应价格上调逾100%，远高于TrendForce此前预测的33%至38%涨幅。三星已通知客户，将全面上调包括高带宽内存（HBM）、DDR5和DDR4在内的所有存储半导体产品价格。

野村证券指出，市场排名第五的SanDisk亦计划在2026年将NAND价格上调100%。行业人士表示，NAND制造商普遍跟进涨价，全行业全面提价已成定局。

NAND涨价主因在于数据中心扩张带动企业级固态硬盘（eSSD）需求激增，以及“端侧AI”推动移动设备与PC向高容量存储升级，需求呈指数级增长；而供给端响应滞后，市场呈现“有价无货”局面。

花旗、摩根士丹利及美国银行研究团队一致认为，AI浪潮正推动“存储芯片超级周期”全面到来，其强度与持续时间或将超越2018年云计算驱动的上一轮周期。

花旗分析师Peter Lee预计，2026年DRAM与闪存平均售价将分别上涨88%和74%，高于此前预测的53%与44%。

分析师指出，AI应用普及率提升及AI训练与推理专用CPU需求增长，将导致2026年通用型存储器产品出现严重短缺。

野村预计，始于2025年下半年的本轮“存储芯片超级周期”至少延续至2027年，实质性新增产能最早于2028年初才可能释放。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。