高带宽内存（HBM）4月22日早盘表现强势，华特气体涨超10%，精测电子、中科飞测、北方华创、飞凯材料、炬光科技等明显上涨。

长江证券电子行业资深分析师蔡少东指出，HBM过去三年实现超10倍增长，2025年全球市场规模达350亿美元，预计2027至2028年将突破1000亿美元。美光科技预测HBM潜在市场规模（TAM）2025至2028年复合年增长率约40%，从350亿美元增至1000亿美元，该规模将超过2024年全球DRAM整体市场规模。

在产能趋紧背景下，HBM涨价预期强烈。据TheElec报道，三星已于2025年底考虑扩建HBM产线，其2026年HBM产能已被全部预订，并持续收到新增订单。申港证券表示，三星电子与SK海力士已将2026年HBM3e供应价格上调近20%；蔡少东称，HBM二季度合约价有望环比上涨30%至50%，部分产品涨幅或更高；下半年合约价涨幅将趋于收敛。

市场格局方面，TrendForce数据显示，英伟达、AWS、谷歌和AMD四家AI芯片公司合计占据HBM需求的95%。2025年主流产品为HBM3e，部分厂商采用HBM3或HBM2e；2026年主流仍为HBM3e，堆叠DRAM芯片数量有望由8颗增至12颗。2025年HBM出货量占DRAM比重升至8%，销售额占比达33%；2026年两项占比预计进一步提升。三星电子计划于2026年5月生产首批符合英伟达标准的HBM4E样品，下半年推动良率接近量产水平；OpenAI正与三星接洽以获取HBM4内存，支持Titan芯片战略。

SK海力士、三星、美光等存储巨头加速扩大资本开支。三星龙仁国家产业园项目预计2026年下半年开工，总投资约360万亿韩元；美光将2026年资本支出由180亿美元上调至200亿美元；SK海力士已投资19万亿韩元在韩国建设先进芯片封装厂。国盛证券认为，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力，有效解决带宽瓶颈、功耗过高及容量限制问题，是当前AI芯片主流选择。华泰证券指出，2026年全球三大存储厂商资本开支将集中于HBM/DRAM领域；TrendForce预测2026年DRAM位元增长率达26%，存储超级周期将成为半导体行业重要主线，但呈现结构性分化，Batch ALD设备、测试设备及封装加工设备需求有望显著增长。

融资客积极布局HBM产业链，17只个股年内获融资净买入，其中香农芯创达7.73亿元，炬光科技5.64亿元，华特气体3.44亿元，国芯科技、北方华创、飞凯材料、中微公司、赛腾股份均超1亿元。股价表现上，炬光科技、华特气体2026年以来累计涨幅翻倍，联瑞新材、德邦科技、飞凯材料涨超30%。业绩方面，中科飞测2025年净利润同比大增600.75%，香农芯创增长106.06%，炬光科技、飞凯材料、晶方科技、拓荆科技2025年业绩亦显著增长。

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