随着AI数据中心建设持续推进，光通信需求激增，光模块产业加速向1.6T及3.2T代际演进。中际旭创披露1.6T产品已量产出货，3.2T产能正筹备中；天孚通信1.6T光引擎处于量产状态，但受个别物料缺料影响，尚未达预期产量。

技术迭代与扩产潮同步推升上游核心材料需求。华泰证券指出，磷化铟（InP）衬底与薄膜铌酸锂是当前最具确定性的两大材料方向。磷化铟作为光芯片关键原材料，广泛用于CW、DFB、EML边发射激光器及PIN、APD探测器芯片。2025年全球磷化铟衬底缺口预计超200万片，6英寸射频级价格已达1.8万元/片。在光芯片BOM中，衬底占比显著，源杰科技2022年上半年衬底采购金额占原材料总额27.21%。

全球主要供应商已启动扩产：美国AXT磷化铟积压订单超6000万美元，目标2026年底产能较2025年底翻倍；Lumentum晶圆厂产能已全部分配，拟未来数季度扩充约40%单元产能；云南鑫耀投资1.89亿元扩建年产30万片（折4英寸）高品质磷化铟单晶片产线。但受限于2–3年扩产周期，供需缺口仍将延续。

高端光芯片对磷化铟消耗更高：200G EML、超大功率CW光源（400mW）等产品良率低、芯片面积大，单位出货所需衬底数量增加，或将推动磷化铟需求加速增长。

薄膜铌酸锂则被视为下一代高速光信号调制主流材料。LightCounting预测，2028年全球3.2T光模块市场规模达13.96亿美元，2031年升至240亿美元。单通道400G调制速率要求下，薄膜铌酸锂凭借强Pockels效应、低驱动电压、高带宽与高线性度优势，有望在3.2T可插拔方案中实现导入。华泰证券测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间近30亿元，2029–2031年复合增长率达271%。

薄膜铌酸锂产业链涵盖光学级单晶、晶圆及调制芯片三环节。日本长期垄断单晶供应，国内天通股份、南智芯材已实现国产突破；济南晶正、上海新硅聚合布局晶圆制造；江苏铌奥光电、Hyperlight等参与调制芯片研发生产。中金公司指出，相较磷化铟与硅基材料，薄膜铌酸锂在高带宽、低功耗及高保真方面具备综合性能优势，将成为支撑AI通信网络单波400G及以上速率的关键调制材料。

深圳市《加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026–2028年）》亦明确支持800G及以上光模块量产，并推动高端薄膜铌酸锂、高端磷化铟核心技术突破与规模化应用。

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