台积电五座2nm晶圆厂同步爬坡创历年纪录

全球半导体市场正加速扩产。

台积电资深副总经理侯永清表示,为应对AI与高性能计算(HPC)需求爆发,台积电正以“二倍速”推进扩产计划,2026年将同时有五座2nm晶圆厂进入产能爬坡阶段,创下历年最积极的扩产纪录。

侯永清指出,一年内多厂同步导入新制程的模式此前从未出现,反映AI需求已推动供应链进入“超高速扩张”阶段。2nm首年产出预计较3nm同期提升约45%,产能利用率显著提高。

随着2nm制程正式迈入量产,其良率学习曲线优于3nm制程,即便采用更复杂的纳米片(Nanosheet)架构,制造稳定度仍能快速提升。下一阶段A16制程结合背面供电技术亦持续推进,以满足AI与车用市场对高效能与低功耗的需求。

2022年至2026年间,用于AI加速器的晶圆出货量增长11倍,大尺寸晶粒需求同步增长6倍,体现AI运算架构向高整合与高效能演进。

台积电持续升级CoWoS与SoIC等3D封装技术,其中SoIC量产导入时程缩短达75%;整体先进封装产能预计自2022年至2027年增长约80%。

台积电管理层表示,下游AI相关芯片需求持续高涨,已打破以往制程节点达目标产能后不再追加产能的惯例。

展望下半年,2nm初期爬坡将带来毛利率稀释,预计2026全年影响约2%–3%;海外产能扩张初期亦带来约2%–3%稀释,后期扩大至3%–4%;公司拟通过制造能力提升、晶圆产出增加及跨节点产能优化对冲相关压力。

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