研究机构DigiTimes最新报告指出，受AI算力需求激增与产能结构性瓶颈影响，高带宽内存（HBM）价格预计2027年实现翻倍。下一代HBM4价格或从2026年下半年约2美元/千兆比特升至4至5美元甚至更高。

HBM4制造工艺难度高，生产周期达4至6个月，初期良品率偏低；且单颗HBM所需晶圆面积为普通DDR5内存的3倍，显著压缩现有产线产能释放空间。全球三大HBM厂商——三星电子、SK海力士和美光科技正与一级AI客户签订三至五年长期供货协议，锁定全球内存供应。DigiTimes预判，2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商供货份额受限。

供应链消息显示，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口；2026年底芯片厂商议价权将达峰值，未提前签署长期协议的消费电子企业或将面临严重内存断供风险。部分供应商DDR5利润率已突破80%，推动芯片制造商要求更高HBM定价，以支撑产线向HBM转移的合理性。

美东时间7月10日，SK海力士在美国存托凭证（ADR）市场首次亮相，发行规模达265亿美元，ADR价格大涨超12%，较韩股普通股存在显著溢价。该公司CEO郭鲁正表示，2027年将成为存储芯片行业供应最紧张的一年，需求将持续超过供给能力并延续至2030年后。

全球第二大存储模组厂商威刚董事长陈立白透露，2026年第三季度DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调：DRAM合约价预计上涨20%至30%，NAND Flash调涨35%至40%。三大存储原厂2026年绝大部分产能已提前售罄，客户已开始洽谈2027年及更长期供货合约。AI算力扩张导致通用DRAM与消费级NAND产能持续缩减，供需矛盾进一步加剧，2027年内存与固态硬盘供货紧缺或进一步恶化。

TrendForce（集邦咨询）预测，2026年第三季度DRAM合约价将季增13%—18%，NAND Flash合约价季增10%—15%。瑞银7月报告则大幅上调预期：DRAM报价第三季度上涨32%、第四季度再涨18%；NAND Flash第三季度上涨30%、第四季度再涨12%。

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