近日，铠侠、三星、SK海力士、美光等存储巨头公布2026年第二季度或第一财季财报，集体创下历史新高。铠侠2026财年第一财季（4-6月）营收达1.77万亿日元，同比增415.5%；净利润8422亿日元，同比增逾45倍。三星电子2026年第二季度营收171.5万亿韩元，同比增长130%；营业利润89.5万亿韩元，同比暴增1814%，半导体部门贡献全公司99%利润。SK海力士营业利润同比增长超5倍至60.5万亿韩元，营收79.3万亿韩元，同比增长257%，净利润93.9万亿韩元，同比增长1242%，但营收与利润均低于市场预期。美光科技第三财季营收414.6亿美元，环比增73.8%、同比增345.7%，GAAP净利润282.4亿美元，同比增1398.3%，亦超预期。

业绩增长主要源于AI数据中心对NAND闪存及HBM内存的强劲需求，推动产品平均售价（ASP）大幅上涨。铠侠服务器与企业级SSD业务营收同比增长超440%，ASP环比涨约70%。全球云厂商2026年资本开支预期合计超8000亿美元，大量资金投向GPU及配套存储，导致DRAM与NAND产能紧张，各类型存储芯片普遍涨价数倍。

尽管财务表现亮眼，但资本市场反应负面。7月SK海力士韩股最大回撤54%，三星电子42%，美光33%。股价下跌主因市场担忧“利好出尽”，对后续增长动能趋于谨慎。第三方机构TrendForce预测2026年第三季度DRAM与NAND Flash合约价分别季增13%-18%和10%-15%，涨幅较前几季明显收敛，主因消费端需求下修、价格基数已达历史高位、买方承受力趋近极限，仅AI服务器与数据中心建设提供持续支撑。

TrendForce分析师许家源指出，DRAM供不应求格局预计延续至2027年，价格涨势或延续至2027年下半年，但自2026年第三季度起，季度环比涨幅将明显放缓。部分厂商已下调eMMC报价，反映局部价格竞争加剧，原因包括客户前期囤货充足、厂商库存增加。有消息称OPPO于2026年7月下旬拒绝接受三星提出的2026年第三季度存储芯片报价，但未获官方证实。

当前存储厂商利润几乎全部来自涨价而非出货量扩张，一旦价格松动，利润可能快速回落。市场另一忧虑聚焦于长期协议（LTA）风险：锁价虽保障收入稳定性，却削弱利润弹性；且历史经验显示，市场剧变时LTA易被重新谈判或撕毁。消费电子厂商已显现抵制情绪，有手机厂商人士称存储涨价“榨干行业利润”。

TrendForce认为AI仍将是2027年内存需求核心驱动力，但DRAM与NAND市场将分化：HBM产能分配、AI服务器需求及CPU内存采购增长将持续制约DRAM供应并推高价格；而NAND方面，新产能上线叠加消费电子需求疲软，预计2027年下半年供应趋宽松，价格下行压力加大。

瑞银指出二季度业绩印证半导体产能上行周期强度，但存储板块催化因素已部分兑现；其同时提示超大规模云服务商资本开支增速或受制于经营现金流约束，但短期内削减可能性低，预计2027年整体AI支出接近1万亿美元。Wolfe Research分析师Chris Caso强调，当前物理制造能力尚未饱和，“供过于求”最早或延至2028年，供给端限制仍是支撑存储价格的关键因素。

摩根士丹利认为市场过度悲观，实际价格数据强于预期，并指出传统存储器内部出现显著分化：主流DRAM/NAND涨价节奏不及预期，但DDR4、SLC/MLC NAND及NOR Flash等利基产品因供不应求持续涨价，形成“冰火两重天”格局。短期机会在利基市场结构性涨价，长期需警惕供需逆转风险。吉姆·克雷默归因于大型杠杆资金驱动抛售，而摩根大通则判断科技与半导体领域去杠杆进程已近尾声，进一步下行空间有限，存储板块或迎来重新定价窗口。

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