据韩媒SEDaily报道，三星电子DS部门首席技术官Song Jai-hyuk在IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上透露，公司计划于2028年发布首款专为设备端AI应用优化的LPW DRAM内存产品。LPW（LPDDR Wide-IO）是一种类似LPDDR但具有更高I/O位宽的移动端内存技术，通过引入更多I/O通道并降低每个通道的数据传输速率，实现高带宽低功耗的目标。

三星电子表示，LPW DRAM将采用结合RDL（重布线层）的垂直引线键合技术，取代传统引线键合，从而实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。据悉，LPW DRAM的带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%，同时功耗降至1.9 pJ/bit，比LPDDR5x低54%。这一技术的推出将为设备端AI应用提供更强大的性能支持。