杭州镓仁半导体（Garen Semi）昨日宣布成功推出全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，成为国际上首家掌握该技术的企业。此前，该公司已在2022年至2024年间相继研发出2英寸、4英寸和6英寸氧化镓单晶。此次8英寸单晶不仅提升了晶圆面积利用率，还与现有硅基晶圆厂的8英寸产线兼容，有望加速氧化镓的产业化进程。

氧化镓（β-Ga₂O₃）作为第四代半导体材料，具有4.85eV的宽禁带，表现出优异的热和化学稳定性以及更高的击穿电场强度。基于氧化镓的功率器件能够提供更小的电阻和更高的转换效率，有望推动新能源汽车平台电压提升至1200V。此外，氧化镓材料在深紫外波段的光电特性也使其成为制造深紫外光电器件的理想选择。