近日，中国科学院微电子所集成电路先导工艺研发团队在堆叠纳米片全环绕栅（GAA）晶体管技术上取得重要进展。针对当前GAA器件沟道界面态较大、亚阈值开关性能不佳的问题，团队提出了一种低温臭氧准原子级处理（qALE）技术。该技术通过极薄厚度的臭氧自限制氧化与腐蚀反应，精准去除纳米片沟道表面残留的Ge原子，同时避免对内层Si沟道造成损伤。

实验结果显示，采用低温qALE处理后，纳米片沟道的界面态密度显著降低两个数量级，晶体管亚阈值开关摆幅优化至60.3 mV/dec，接近理论极限。此外，漏电流降低66.7%，开态电流提升超20%。这一成果为高性能GAA器件的制备提供了高效且低成本的技术路径。相关研究已发表于最新一期的IEEE Electron Device Letters，并荣登封面。