近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布，其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在气体控制精度上实现新突破，反应台间刻蚀精度达到0.2埃（亚埃级），相当于硅原子直径的十分之一。这一精度在氧化硅、氮化硅及多晶硅薄膜刻蚀工艺中均得到验证。

测试数据显示，在200片硅片重复性实验中，两个反应台的平均刻蚀速度差异不超过0.09%，远低于单台加工片内差异。此外，中微公司的CCP双台机Primo D-RIE®和Primo AD-RIE®也已实现同等精度水平，在千片级测试中平均刻蚀速度差小于1纳米。