在SEMICON China 2025展会期间，中微半导体设备（上海）股份有限公司正式发布其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona。该设备采用双反应台设计，最多可配置三个双反应台反应腔，每个反应腔能同时加工两片晶圆，有效降低生产成本并提升产出密度。

Primo Halona搭载Quadra-arm机械臂，具备高精度与灵活性，腔体内部采用抗腐蚀材料，确保设备稳定性和耐久性。此外，其独特的自对准安装设计减少了停机维护时间，优化产能。设备还提供集成量测模块选项，支持本地实时膜厚量测，进一步提升维护效率。

与此同时，中微公司的ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star在气体控制精度上取得突破，反应台间刻蚀精度达0.2A（亚埃级），适用于多种薄膜刻蚀工艺，展现了公司在高端半导体设备领域的技术实力。