SK海力士今日宣布成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动端解决方案。该产品专为端侧AI优化,兼具高性能与低功耗特性,能效较上一代238层产品提升7%,厚度缩减至0.85mm,适配超薄智能手机设计。
新品支持4300MB/s的顺序读取速率,随机读写速度分别提升15%和40%,为现有UFS 4.1产品中的领先水平。SK海力士表示,此举将巩固其在旗舰智能手机存储市场的技术优势。该产品提供512GB和1TB容量,预计明年第一季度量产。
SK海力士今日宣布成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动端解决方案。该产品专为端侧AI优化,兼具高性能与低功耗特性,能效较上一代238层产品提升7%,厚度缩减至0.85mm,适配超薄智能手机设计。
新品支持4300MB/s的顺序读取速率,随机读写速度分别提升15%和40%,为现有UFS 4.1产品中的领先水平。SK海力士表示,此举将巩固其在旗舰智能手机存储市场的技术优势。该产品提供512GB和1TB容量,预计明年第一季度量产。