SK海力士推出321层NAND闪存UFS 4.1解决方案

5月22日,SK海力士宣布成功开发基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动端解决方案。新产品能效较上一代238层产品提升7%,厚度从1mm减至0.85mm,更适合超薄智能手机。该技术代表全球NAND闪存领域的最新突破。

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