三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达DRAM单芯片认证,目前进入成品认证阶段。原计划于6~7月完成的认证因故延迟,预计将在2025年下半年公布最终结果。此进展表明三星在高带宽内存领域与英伟达的合作取得阶段性成果,但具体上市时间仍需等待进一步确认。
免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。
三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达DRAM单芯片认证,目前进入成品认证阶段。原计划于6~7月完成的认证因故延迟,预计将在2025年下半年公布最终结果。此进展表明三星在高带宽内存领域与英伟达的合作取得阶段性成果,但具体上市时间仍需等待进一步确认。
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