韩媒报道指出，HBM4内存因I/O数量增至2048，导致SK海力士和美光需扩大DRAM Die面积，从而降低了单晶圆上可生产的HBM DRAM Die数量。相比之下，三星电子通过将工艺从1a nm升级至1c nm，有望提升单晶圆DRAM Die产量。然而，由于工艺复杂度增加，三星的HBM4实际成本仍有所上升。市场预计，HBM4早期规格12Hi 36GB的售价将超过600美元，较同容量HBM3E显著溢价。这一趋势反映了高端内存市场技术升级带来的成本压力及价格波动。