美光近日在美国爱达荷州博伊西宣布，已向多个关键客户交付HBM4 36GB 12Hi内存样品。该产品基于成熟的1ß工艺24Gb DRAM Die和12层堆叠封装技术，每个堆栈速度超过2.0TB/s，较上一代HBM3E性能提升60%以上，能效改进达20%。此外，HBM4还集成了MBIST内存内置自检功能，进一步提升可靠性。

这款内存显著优化了逻辑xPU与内存间的数据交互能力，为AI加速器提供更快响应和更高效的推理支持。美光计划于2026年实现HBM4产能爬坡，以匹配客户下一代AI平台的量产需求。这一进展标志着高性能内存技术在AI领域的应用迈入新阶段。