据韩媒sisajournal-e报道，三星电子正加快将现有NAND闪存生产线升级至第九代V-NAND（286层）的进程。该公司计划对其韩国平泽P1晶圆厂的V6产线进行设备更新，同时考虑将中国西安X2晶圆厂从V7/V8升级至V9技术，以应对AI服务器市场对高容量QLC企业级SSD需求的预期回升。

值得注意的是，由于超低温蚀刻技术开发遇到困难，三星已决定推迟400+层V10 NAND闪存的量产计划。相关投资建设可能延至2026年上半年才能启动。

此次技术升级凸显了三星在存储芯片领域保持技术领先地位的决心，同时也反映出企业对未来AI服务器市场需求增长的预判。