双向高导热石墨膜研究获突破 为5G芯片散热提供新方案

近日,中科院上海微系统所与宁波大学联合研发出双向高导热石墨膜。该膜以芳纶膜为前驱体,经高温石墨化工艺制备,面内热导率达1754 W/m·K,面外热导率突破14.2 W/m·K。在智能手机和高功率芯片散热测试中,芯片表面温度显著降低,温差大幅缩小。这一技术可有效支持5G芯片及功率半导体的热管理需求,为相关领域提供关键材料解决方案。

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