据韩媒SEDaily和MK报道，三星电子第六代10纳米级（1c nm）DRAM内存工艺良率显著提升，从去年不足30%增至目前的50%-70%，近期测试数据更突破60%。这一进展得益于大胆的设计变更，虽略微延迟量产时间，但技术层面实现重要突破。

行业观察指出，三星此前因HBM市场表现不佳，一季度DRAM营收被SK海力士反超。随着1c纳米工艺良率改善，三星有望以更稳定的HBM4产品重夺市场优势，为下半年竞争注入强心剂。