据韩媒报道，三星电子昨日正式批准其第六代10nm级DRAM工艺1c nm的量产准备，标志着该技术完成开发并进入量产阶段。此次突破的关键在于1c nm工艺将应用于三星的HBM4 12Hi内存，其性能表现预计将直接影响公司未来1至2年的营收。

目前，三星电子、SK海力士及美光均已完成第六代20~10nm制程DRAM的开发，三大厂商在10nm级内存技术领域的竞争日趋激烈，行业技术门槛进一步抬升。