韩媒SEDaily报道，LG电子旗下生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发，计划于2028年实现大规模量产。混合键合技术是构建16层以上HBM内存堆栈的关键，通过铜-铜键合缩小DRAM Die间距，提升堆叠层数并降低发热。

目前，Besi和应用材料在该领域占据领先地位，但SK海力士和三星电子正寻求供应链本地化，为LG电子提供了市场机遇。此外，LG电子正强化AI与B2B业务，混合键合设备与其战略目标高度契合。