先进逻辑半导体制造商Rapidus公司近日宣布,其2nm栅极全能(GAA)晶体管结构的原型设计已在创新集成制造(IIM-1)代工厂进入试制阶段,首批原型晶圆已开展电性参数测试。
自2023年9月动工以来,IIM-1工厂在短短三年内完成了洁净室建设,并于2025年6月完成200多台全球最先进半导体设备的安装,实现关键里程碑。Rapidus正同步开发兼容2nm工艺的技术套件,计划于2026年第一季度提供给客户,预计2027年正式进入量产阶段。
先进逻辑半导体制造商Rapidus公司近日宣布,其2nm栅极全能(GAA)晶体管结构的原型设计已在创新集成制造(IIM-1)代工厂进入试制阶段,首批原型晶圆已开展电性参数测试。
自2023年9月动工以来,IIM-1工厂在短短三年内完成了洁净室建设,并于2025年6月完成200多台全球最先进半导体设备的安装,实现关键里程碑。Rapidus正同步开发兼容2nm工艺的技术套件,计划于2026年第一季度提供给客户,预计2027年正式进入量产阶段。