2025年7月18日，由北京大学和中国人民大学科研团队历时四年研发，首创一种“蒸笼”方法成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。硒化铟因具备高迁移率和热速度快等优点，被视为有望替代硅基材料的新型半导体。该成果已发表于国际权威期刊《科学》。

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