受成本上升影响,SK海力士将HBM4价格提高60%-70%,12层堆叠版本单价达约500美元,远高于前代HBM3E。业内人士指出,SK海力士凭借与英伟达的早期谈判及Blackwell Ultra项目的独家供应地位,掌握了定价主导权。此外,引入台积电4nm制程也提升了技术门槛和制造成本。不过,随着三星在1c DRAM技术上的突破,并可能凭借HBM4进入英伟达供应链,SK海力士或将面临更大的市场竞争压力。
受成本上升影响,SK海力士将HBM4价格提高60%-70%,12层堆叠版本单价达约500美元,远高于前代HBM3E。业内人士指出,SK海力士凭借与英伟达的早期谈判及Blackwell Ultra项目的独家供应地位,掌握了定价主导权。此外,引入台积电4nm制程也提升了技术门槛和制造成本。不过,随着三星在1c DRAM技术上的突破,并可能凭借HBM4进入英伟达供应链,SK海力士或将面临更大的市场竞争压力。