比利时微电子研究中心（imec）与根特大学合作，在300mm晶圆上实现120层硅与硅锗交替堆叠，为高密度三维DRAM研发奠定基础。该结构每层由65nm硅与10nm硅锗组成，实验显示晶圆内部保持完全应变，错配位错集中于边缘。研究采用20%锗含量的硅锗材料，优化沉积工艺以维持界面清晰，并借助X射线衍射确认结构稳定性。该成果证实量产百层以上堆叠可行，有望推动三维DRAM存储密度大幅提升。