8月27日，三安光电旗下湖南三安半导体宣布推出首代高性能Trench MOSFET技术平台。该平台标志着公司在功率半导体领域取得重要进展。湖南三安半导体表示，下一代Trench MOSFET技术规划已明确，导通电阻（Ron,sp）目标将进一步下降超过20%。此项技术的推出将助力公司在高端功率器件市场的竞争力提升。

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