SK keyfoundry近日推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。该工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，在金属-绝缘体-金属结构中总厚度最高可达18微米。其击穿电压高达19,000V，电容性能优异，适用于数字隔离用电容器及抑制电容耦合的电子电路。该工艺已通过主要客户的经时介电层击穿评估，并符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准。

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