Solidigm突破层数限制 明年推出250层NAND闪存

据韩媒The Bell报道,SK海力士旗下固态存储企业Solidigm正加速推进新一代NAND闪存研发,计划于明年实现商用化。该企业作为目前唯一采用浮动栅极架构的主要NAND厂商,其新一代产品将突破传统技术瓶颈,实现250层左右堆叠层数,并延续QLC单元设计路线。

业内人士曾普遍认为浮动栅极架构难以突破200层技术壁垒,但Solidigm通过技术创新成功实现突破。该技术路线不仅有助于保持产品差异化优势,还可避免因架构转型产生的巨额设备投入。随着人工智能存储需求增长,高密度QLC闪存在AI SSD领域的应用前景备受关注。

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