据《朝鲜日报》报道，三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的4nm工艺HBM4内存逻辑裸片良率已超过90%。该工艺采用1cnm DRAM裸片与4nm逻辑裸片组合，相较于台积电的5nm方案更具技术优势。

目前该内部订单已占据三星4nm节点约半数产能，推动整体良率突破80%。随着HBM内存对逻辑裸片工艺要求提升，存储器部门市占率恢复将带动晶圆代工部门获得更多内部订单，形成良性循环。

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