日本DNP公司今日宣布成功开发出线宽仅10nm的NIL纳米压印图案化模板，可支持1.4nm级逻辑半导体及NAND闪存制造。该公司基于超20年研发经验，采用SADP“套刻”方案，结合光掩模与晶圆工艺技术，实现线条密度加倍。新模板能耗仅为传统光刻工艺的1/10。DNP正与半导体制造商深入合作，计划于2027年实现批量生产。

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