2026年1月16日，SK海力士宣布推出5-Bit NAND闪存技术，采用Multi-Site Cell方案，将每个3D NAND单元一分为二，提升存储密度。该技术通过降低电压三分之二，在不牺牲速度与耐久性前提下实现每单元5比特存储，读取速度较传统PLC快20倍，并使单颗Die容量提升25%。此举旨在应对AI时代对高性能存储的需求，同时规避QLC闪存在可靠性与寿命上的缺陷。

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