2026年1月16日，韩媒报道称三星电子第六代10纳米级DRAM（1c nm）制程良率已提升至约60%，超过量产盈亏平衡点。该进展为HBM4内存的高利润量产奠定基础，助力业绩增长。三星调整策略，由良率优先转为加速量产，以争取英伟达等客户订单。TrendForce指出，HBM内存量产有望于2026年第一季度末实现，主要厂商仍有时间优化良率。

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