三星与SK海力士将于Q2启动最尖端NAND扩产

2026年第二季度,三星电子与中国西安X2产线、SK海力士在韩国清州M15厂将同步启动第9代NAND(三星V9、SK海力士321层)转换投资。此举旨在应对AI驱动的存储需求激增,扭转长期重DRAM轻NAND的投资格局。三星拟将西安X2由6–7代转产V9,目标月产能达4–5万片晶圆;SK海力士计划清州M15月产提升至约3万片。当前V9量产规模仍小,三星平泽P1园区亦在筹备新增投资。业内预计V9产品明年起进入量产加速期。

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