2026年2月11日，韩国首尔SEMICON Korea展会开幕。SK海力士副总裁李成勋宣布正推进AIP（All-in-Plug）技术，旨在突破3D NAND高堆叠制造瓶颈。当前HARC工艺单次仅能蚀刻100~200层，需多堆栈键合，推高成本、降低良率与效率；AIP可一次性蚀刻300层以上，显著减少工序、优化成本。公司目标是在V11 NAND世代导入该技术。

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