2026年2月，三星电子宣布其1c nm制程DRAM在高温热测试中良率达80%，较2025年第四季度提升10–20个百分点；HBM4良率同步升至近60%。该工艺预计于2026年5月前后达90%量产门槛。1c nm月投片量将从2025年末的6万片增至2026年下半年的20万片。良率与产能双提升显著增强商业化盈利能力，助力三星在高利润AI内存市场扩大份额。

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