3月5日，美国半导体企业Wolfspeed推出全球首款可商用10kV碳化硅（SiC）功率MOSFET。该器件在20V栅极偏置下寿命达15.8万年，支持体二极管可靠运行，适用于中压UPS、风电及固态变压器等场景。相比传统IGBT系统，其拓扑更简、成本降30%、开关频率提至10kHz、功率密度升300%、转换效率达99%，上升时间低于10纳秒，可替代电极式火花隙开关，提升脉冲精度，助力AI数据中心电网、地热发电及等离子刻蚀等领域。

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