2026年3月，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry宣布完成碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台开发，并获得一家新客户1200V SiC MOSFET产品开发订单。该平台支持450V至2300V宽电压范围，具备高可靠性与稳定性，良率超90%。公司已启动产品开发，计划于2027年上半年实现全面量产，正式进军SiC化合物半导体代工领域。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。