2026年3月11日，山西天成半导体材料有限公司在山西宣布成功制备14英寸碳化硅（SiC）单晶材料，有效厚度达30毫米。该公司成立于2021年8月，专注SiC衬底研发、生产及晶体生长装备研制。此次突破旨在满足半导体制造中刻蚀、外延、沉积等关键环节对SiC部件的高规格需求，提升国产高端半导体材料自主供给能力。该成果标志着我国大尺寸SiC单晶制备技术取得重要进展。

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