2026年3月，美光在FY2026Q2财报会上宣布，下一代HBM内存HBM4E正按计划开发，预计2027年量产，采用第6代10nm级1γ工艺DRAM裸片；同时将导入第7代10nm级1δ工艺，配套High NA EUV光刻设备以提升图案化精度与洁净室效率。公司已签署首份五年期战略客户协议（SCA），替代传统LTA模式，增强供需稳定性。美光预测2026年全球DRAM与NAND供应量同比增长约20%，而PC及智能手机出货量或下滑超10%。

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