3月29日，太原中北高新区企业天成半导体依托自主研发设备，成功研制出直径14英寸、有效厚度达30毫米的碳化硅单晶材料。此举继其12英寸单晶及衬底双突破后，进一步提升我国大尺寸碳化硅材料自主供给能力。该材料主要面向高性能碳化硅部件制造，适用于新能源汽车、轨道交通及智能电网等高端领域。研发过程全程实现设备与工艺国产化，标志着我国在宽禁带半导体关键基础材料领域取得重要进展。

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