4月14日，韩媒The Bell报道，三星电子计划在韩国平泽P5晶圆厂内新建一条NAND闪存生产线，为2022年P3投产后首次重大NAND产能投资。此举旨在应对当前NAND市场供需失衡及AI驱动的高性能大容量SSD需求增长。P5为三层六阶段（PH）大型厂，其中一阶段将专用于NAND制造，PH1则聚焦1c nm DRAM。三星还考虑在P5旁再建同规格晶圆厂。

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