2026年4月17日，三星电子宣布将高带宽内存（HBM）开发周期从2年压缩至1年。此举旨在匹配英伟达、AMD等客户每年推出新AI加速器的节奏，确保HBM3E后继产品HBM4如期于2026年内随Vera Rubin及MI400平台发布。三星依托全产业链能力，实现裸片生产、堆叠与封装自主可控，支撑快速迭代。调整意在强化其在HBM市场的技术领先优势，并抢占定制化HBM5先机。

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