2026年4月23日，韩国SK海力士宣布将高带宽闪存（HBM-Flash）列为下一代核心战略产品。该公司计划于2027年起量产，首期产能投向AI服务器与高性能计算存储市场。此举旨在应对传统DRAM与NAND增长放缓，强化在存算协同架构中的技术卡位。研发由水原研发中心主导，已获多项关键专利。公司强调该技术可提升数据吞吐效率超40%，功耗降低约25%。

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